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iiifgh 發表於 2018-7-13 05:44 PM

〈三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體〉〈TechNews〉〈2018-07-011〉

本帖最後由 iiifgh 於 2018-7-13 05:45 PM 編輯

三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體
科技新報 TechNews-作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30 |



全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布,正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。此產品不但堆疊數為目前最高,且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面,使傳輸速率達到 1.4Gbps。

三星 V-NAND 是 3D NAND 快閃記憶體其中一種。目前市場主力還是堆疊數 64 層的第 4 代 V-NAND 快閃記憶體。三星宣布正式量產的是第 5 代 V-NAND 快閃記憶體,核心容量 256Gb 並不算高,但各項性能指標缺不能小覷。它是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體,傳送速率達到 1.4Gbps,相較過去 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說,足足提升了 40%。



除了採用新的傳輸介面提升速率,第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化。工作電壓從 1.8V 降至 1.2V,寫入速度也是目前最快的 500us,比上一代 V-NAND 快閃記憶體提升了 30%。讀取速率的回應時間也縮短到 50us。

三星第 5 代 V-NAND 快閃記憶體內部堆疊超過 90 層 CTF Cell 單元,是目前市面堆疊層數最高的 3D NAND TLC 架構快閃記憶體。這些儲存單元透過微管道孔洞連接,每個孔洞只有幾百奈米寬,總計包含超過 850 億個 CTF單元,每個單元可以儲存 3 位元資料。



此外,第 5 代 V-NAND 快閃記憶體在製程技術也有改進,製造生產效率提升了 30%。藉由先進製程技術,使每個快閃記憶體單元的高度降低了 20%,減少單位之間干擾的發生率,提高資料處理的效率。三星目前正加強第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產,以便滿足高密度儲存領域,包括高效能運算、企業伺服器及行動裝置市場的需求。

除了第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產,三星目前還在擴展 V-NAND 快閃記憶體,準備推出核心容量高達 1Tb 的 NAND 快閃記憶體,及 QLC 架構的快閃記憶體產品,繼續推動下一代快閃記憶體發展。

(首圖來源:三星)



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dannypie 發表於 2018-7-31 02:44 AM

邏輯電壓一直降低,從5V變成3.3V,而後變成2.5V,之後是今日常見的1.8V,沒想到1.2V也出來了。

lai23ster 發表於 2018-8-7 08:28 AM

感謝iiifgh 大大無私分享-thank you
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